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美光1γ DRAM開始出貨,用上了EUV
- 美光經過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點的誕生。
- 關鍵字: 美光1γ DRAM
新型高密度、高帶寬3D DRAM問世
- 3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
- 關鍵字: 3D DRAM
?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內存,美光成為首要供應商

- 三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商,而非自家的產品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內存解決方案,這也讓外界對三星內存技術的競爭力產生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商,這次卻打敗三星成為了第一供應商,似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題,三星DS(設備解決方案)部門未能按時足量向三星MX(移動體驗)部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內存樣品,導致MX部門的手
- 關鍵字: ?三星 Galaxy S25 內存 美光 DRAM LPDDR5X
買方采購策略調整,1Q25 DRAM合約價走跌
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查,2025年第一季進入淡季循環(huán),DRAM市場因智能手機等消費性產品需求持續(xù)萎縮,加上筆記本電腦等產品因擔心美國可能拉高進口關稅的疑慮,已提前備貨,進而造成DRAM均價下跌。其中,一般型DRAM(Conventional DRAM)的跌幅預估將擴大至8%至13%,若計入HBM產品,價格預計下跌0%至5%。PC DRAM價格估跌幅為8-13%,Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示,2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱,DRAM價格反
- 關鍵字: DRAM TrendForce 集邦咨詢
美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國生產芯片
- 12 月 11 日消息,美國商務部周二表示,作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分,美光科技已獲得高達 61.65 億美元(當前約 448.07 億元人民幣)的撥款,用于在美國制造半導體。該機構表示,這筆資金將支持美光的“二十年愿景”,即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠,并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示,美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外,美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議,將額外提供 2.75 億美元資金,用于擴建
- 關鍵字: 美國 美光科技 生產芯片 半導體 DRAM 內存芯片 存儲芯片
在2025年DRAM位元產出增長下,供應商需謹慎規(guī)劃產能以保持盈利
- DRAM產業(yè)歷經2024年前三季的庫存去化和價格回升,價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,由于部分供應商在今年獲利后展開新增產能規(guī)劃,預估2025年整體DRAM產業(yè)位元產出將年增25%,成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查,DRAM產業(yè)結構越趨復雜,除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外,又新增HBM品類。吳雅婷指出,三大DRAM原廠中,SK hynix(SK海力士)因HBM產品
- 關鍵字: DRAM TrendForce 集邦咨詢
北京君正:21nm DRAM新工藝預計年底推出
- 近日,北京君正在接受機構調研時就DRAM的新工藝情況表示,21nm和20nm都有在研,預計21nm的今年年底會推出,20nm預計將于明年中前后推出,后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產品研發(fā)。關于存儲中各類市場的收入占比情況,北京君正表示,汽車市場占比大概40%以上,工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些,去年占比超過30%,今年大概不到30%,剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。存儲產品價格方面,北京君正的存儲產品主要面向行業(yè)市場,這個市場的價格變動特點和消費類市場不同,這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年,2
- 關鍵字: 北京君正 21nm DRAM
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息,天風證券分析師郭明錤昨日(11 月 5 日)在 Medium 上發(fā)布博文,深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道,是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后,將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點,但業(yè)界早在至少半年前就知道,在英特爾的 roadmap 上,后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
- 關鍵字: 郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉,鎧俠(Kioxia)宣布其多項創(chuàng)新研究成果,將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(IEDM)上發(fā)表。聲明中稱,鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術:氧化物半導體通道晶體管DRAM(OCTRAM):該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā),通過改進制造工藝,開發(fā)出一種垂直晶體管,提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗,使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM(磁阻隨機存取存儲器
- 關鍵字: 鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出,隨著AI服務器持續(xù)布建,高帶寬內存(HBM)市場處高成長階段,平均售價約是DRAM產品的三至五倍,待下一代HBM3e量產,加上產能擴張,營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出,HBM市場仍處于高成長階段,由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器,在GPU算力與內存容量都將升級下,HBM成為其中不可或缺的一環(huán),帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
- 關鍵字: HBM DRAM TrendForce
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