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美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

  • 美光經過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點的誕生。
  • 關鍵字： 美光1γ DRAM  

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
  • 關鍵字： 3D DRAM  

美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領內存技術突破，滿足未來計算需求

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節(jié)點?DDR5?內存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點的領先優(yōu)勢，1γ DRAM?節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應用到端側?AI?設備（如?AI PC、智能手
  • 關鍵字： 美光  1γ DRAM  DRAM  

消息稱三星芯片部門負責人攜1b DRAM樣品訪問英偉達

  • 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產 HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
  • 關鍵字： 三星  芯片  1b DRAM  樣品  英偉達  

SK海力士實現(xiàn)1c nm制程DRAM內存量產

  • 據(jù)韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產品認證，連續(xù)多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產品群，進一步鞏固其在內存市場的領先地位。
  • 關鍵字： SK海力士  1c納米  DRAM  

三星Galaxy S25全系配LPDDR5X：自家產品面臨過熱問題或外購美光芯片

  • 1月14日消息，據(jù)報道，三星將于北京時間1月23日02:00舉辦Galaxy Unpacked January 2025，發(fā)布新一代Galaxy S25系列手機，包括Galaxy S25、Galaxy S25+和Galaxy S25 Ultra三款機型。據(jù)悉，三星Galaxy S25系列已確定將標配高達12GB的內存，并且有望全系列均搭載了美光的LPDDR5X內存芯片。此番選擇美光而非自家產品，核心原因在于三星自家內存芯片存在過熱的技術難題。值得注意的是，美光所提供的12納米級LPDDR5X芯片，在性能表
  • 關鍵字： 三星  美光  LPDDR5X  

?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內存，美光成為首要供應商

  • 三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術的競爭力產生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門的手
  • 關鍵字： ?三星  Galaxy S25  內存  美光  DRAM  LPDDR5X  

買方采購策略調整，1Q25 DRAM合約價走跌

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產品因擔心美國可能拉高進口關稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產品，價格預計下跌0%至5%。PC DRAM價格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價格反
  • 關鍵字： DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產芯片

  • 12 月 11 日消息，美國商務部周二表示，作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
  • 關鍵字： 美國  美光科技  生產芯片  半導體  DRAM  內存芯片  存儲芯片  

提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

  • 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
  • 關鍵字： 泛林集團  DRAM  

在2025年DRAM位元產出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產能以保持盈利

  • DRAM產業(yè)歷經2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產業(yè)位元產出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，DRAM產業(yè)結構越趨復雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產品
  • 關鍵字： DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出

  • 近日，北京君正在接受機構調研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產品研發(fā)。關于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。存儲產品價格方面，北京君正的存儲產品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年，2
  • 關鍵字： 北京君正  21nm  DRAM  

郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

  • 11 月 6 日消息，天風證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
  • 關鍵字： 郭明錤  英特爾  Lunar Lake  DRAM  CPU  封裝  AI PC  LNL  

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
  • 關鍵字： 鎧俠  存儲技術  DRAM  MRAM  3D堆疊  

HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

  • TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待下一代HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
  • 關鍵字： HBM  DRAM  TrendForce  
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lpddr5x dram介紹

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